AS6C62256-55SINTR SRAM: sujungimo schema, specifikacijos, laikai ir alternatyvus produktas
2026-09-30 360

AS6C62256-55SINTR yra mažos galios 256 Kbit SRAM iš Alliance Memory. Jis suteikia 55 ns prieigos laiką ir 8 bitų lygiagretų sąsają laikiniam duomenų saugojimui. Šiame vadove paaiškinama sujungimo schema, elektrinės specifikacijos, skaitymo ir rašymo laikai, duomenų išlaikymas, pakuotė ir galimi alternatyvūs variantai.

Katalogas

Paveikslas 1. AS6C62256-55SINTR 28-pin SOP pakuotė

AS6C62256-55SINTR Apžvalga

AS6C62256-55SINTR yra 256 Kbit SRAM iš Alliance Memory su 55 ns prieigos laiku ir pramoniniu veikimo temperatūros diapazonu −40 °C iki +85 °C. Jis naudoja 28-pin, 330 mil SOP paviršinio montavimo pakuotę.

Alliance duomenų lapas nustato 55SIN kaip 55 ns pramoninę SOP versiją. Alliance taip pat nurodo AS6C62256-55SIN kaip 55 ns pramoninę SOP užsakymo versiją. Pilnas AS6C62256-55SINTR užsakymo kodas nurodo juostos ir ritinio pakuotę.

Pateikite RFQ, kad patvirtintumėte kiekį, kainą, datos kodą, būklę, pakuotę ir terminą.

AS6C62256-55SINTR Architektūra ir sujungimo schema

AS6C62256-55SINTR turi 32K × 8 atminties masyvą. Adresų įvestys A0–A14 praeina per adresų dekoderį, kad pasirinktų vieną iš 32,768 vietų. Skaitymo metu pasirinktas 8 bitų žodis keliauja per stulpelio I/O ir duomenų grandines iki DQ0–DQ7. Rašymo metu duomenys seka tą patį kelią į pasirinktą vietą.

Valdymo grandinė naudoja CE# norint pasirinkti mikroschemą, WE# kontroliuoti rašymą ir OE# įjungti išėjimus skaitymo metu. # žymi aktyvų žemą signalą. VCC yra maitinimo šaltinio koja, o VSS yra žemė.

Veikimo režimas	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
Budėjimas	H	X	X	Aukšta varža
Išėjimas išjungtas	L	H	H	Aukšta varža
Skaitymas	L	L	H	Duomenų išėjimas
Rašymas	L	X	L	Duomenų įvestis

H reiškia aukštą, L reiškia žemą, o X reiškia abu valstybes. Veikimo režimai atitinka Alliance Memory tiesos lentelę.

Paveikslas 2. Supaprastinta AS6C62256-55SINTR SRAM funkcionalinio bloko diagrama, perpiešta iš Alliance Memory duomenų lapo

Koja	Signalas	Koja	Signalas
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

3 pav. AS6C62256-55SINTR 28-pin SOP jungties schema (viršutinė pusė)

Naudokite PDIP/SOP jungčių schemą šiai 28-pinio SOP paketo daliai. sTSOP versija turi kitokią pinų išdėstymą.

AS6C62256-55SINTR funkcijos ir elektros specifikacijos

AS6C62256-55SINTR veikia be atkūrimo ir suteikia TTL suderinamus įėjimus ir išėjimus. Jo trijų būsenų išėjimai leidžia bendrinti duomenų magistralę, kai mikroschema yra neaktyvi. Toliau pateiktose lentelėse pateikiamos specifikacijos pramoninio temperatūros, 28-pin SOP varianto. Brūkšnys reiškia, kad vertė nėra nurodyta.

Bendrosios specifikacijos

Parametras	AS6C62256-55SINTR specifikacija
Atminties organizacija	32,768 × 8 bitai (256 Kbit)
Veikimo tiekimo įtampa, VCC	2,7 iki 5,5 V
Prieigos laikas	55 ns maksimali
Veikimo temperatūra, TA	−40 iki +85 °C
Paketas	28-pin, 330 mil SOP
Siuntimo formatas	Juosta ir ritinėlis
Atitiktis	RoHS atitiktis

Absoliutūs didžiausi reikalavimai

Parametras	Simbolis	Reitingas
Terminolio įtampa, santykinai su VSS	VTERM	−0,5 iki +7,0 V
Veikimo temperatūra, pramoninė klasė	TA	−40 iki +85 °C
Laikymo temperatūra	TSTG	−65 iki +150 °C
Galios nuostoliai	PD	1 W
DC išėjimo srovė	IOUT	50 mA
Litavimo temperatūra	TSOLDER	260 °C mažiau nei 10 sekundžių

Absoliutūs didžiausi reikalavimai yra streso ribos, o ne veikimo sąlygos. "Alliance Memory" nurodo pramoninio temperatūros diapazoną šioje lentelėje ir identifikuoja AS6C62256-55SIN kaip pramoninį SOP variantą užsakymo informacijoje.

DC elektros charakteristikos

Parametras	Simbolis	Bandymo sąlygos	Min.	Tip.	Maks.
Įėjimo aukšta įtampa	VIH	Normali veikla	2,4 V	—	VCC + 0,5 V
Įėjimo žema įtampa	VIL	Normali veikla	−0,5 V	—	0,6 V
Įėjimo nuotėkio srovė	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Išėjimo nuotėkio srovė	ILO	Išėjimas išjungtas; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Išėjimo aukšta įtampa	VOH	IOH = −1 mA	2,4 V	3,0 V	—
Išėjimo žema įtampa	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0,4 V
Veikimo tiekimo srovė	ICC	Minimalus ciklo laikas; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
Veikimo tiekimo srovė	ICC1	1 µs ciklas; CE# ≤ 0,2 V; I/O = 0 mA; kiti pinai 0,2 V arba VCC − 0,2 V	—	3 mA	10 mA
Budėjimo tiekimo srovė	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
Pramoninė budėjimo tiekimo srovė	ISB1	CE# ≥ VCC − 0,2 V; kiti pinai 0,2 V arba VCC − 0,2 V	—	1 µA	30 µA

Duomenų lapas leidžia VIH būti iki VCC + 3,0 V ir VIL iki VSS − 3,0 V tik trumpesniems nei 10 ns impulsams. Tai yra apibrėžtos persikėlimo ir nepakankamumo sąlygos, o ne normalios DC veikimo ribos. Ypač, jos nenustato, kad nuolatinis 5 V įėjimas yra priimtinas, kai VCC yra 3,3 V. Tipinės vertės yra informacinio pobūdžio ir nėra garantuoti ribiniai. ISB1 vertė taikoma tik nurodytomis budėjimo bandymo sąlygomis.

Talpa ir AC bandymo sąlygos

Parametras	Sąlyga	Vertė
Įėjimo talpa, CIN	TA = 25 °C; f = 1,0 MHz	6 pF maksimali
Įėjimo/išėjimo talpa, CI/O	TA = 25 °C; f = 1,0 MHz	8 pF maksimali
Įėjimo impulso lygiai	AC laikų testai	0,2 V iki VCC − 0,2 V
Įėjimo kylimo ir krintančios laikai	AC laikų testai	3 ns
Įėjimo ir išėjimo laikų nuoroda	AC laikų testai	1.5 V
Išėjimo apkrova	AC laiko testai	CL = 50 pF + 1 TTL apkrova; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

Talpos ribos garantuojamos prietaiso charakterizavimo, tačiau nėra testuojamos gamyboje.

AS6C62256-55SINTR Skaitymo ir rašymo laikai

AS6C62256-55SINTR palaiko adresu valdomus skaitymus ir skaitymus, valdomus CE# ir OE#. Rašymas gali baigtis, kai WE# arba CE# pakyla. Lentelėse pateikiami laikai 55 ns versijai.

Skaitymo ciklai

Pav. 4. AS6C62256-55SINTR Skaitymo-ciklo laiko formos

Skaitymo ciklas 1, adresu valdomas: Laikykite CE# žemai, OE# žemai ir WE# aukštai. A0–A14 pokytis pasirenka kitą atminties vietą. Senas išėjimas trumpam išlieka galiojantis po adreso pasikeitimo, tuomet DQ0–DQ7 pateikia duomenis iš naujos vietos.

Skaitymo ciklas 2, CE# ir OE# valdomas: Laikykite WE# aukštai ir adresą stabilų, sumažinkite CE#, kad pasirinktumėte mikroschemą, ir OE#, kad įjungtumėte jos išėjimus. Duomenys tampa galiojantys po atitinkamo adreso, mikroschemos įjungimo ir išėjimo įjungimo uždelsimo. CE# arba OE# pakėlimas grąžina išėjimus į didelės varžos būseną.

Parametras	Simbolis	Min.	Max.
Skaitymo ciklo laikas	tRC	55 ns	—
Adreso prieigos laikas	tAA	—	55 ns
Mikroschemos įjungimo prieigos laikas	tACE	—	55 ns
Išėjimo įjungimo prieigos laikas	tOE	—	30 ns
Mikroschemos įjungimas iki išėjimo Low-Z	tCLZ*	10 ns	—
Išėjimo įjungimas iki išėjimo Low-Z	tOLZ*	5 ns	—
Mikroschemos išjungimas iki išėjimo High-Z	tCHZ*	—	20 ns
Išėjimo išjungimas iki išėjimo High-Z	tOHZ*	—	20 ns
Išėjimo laikymas po adreso pakeitimo	tOH	10 ns	—

Rašymo ciklai

Pav. 5. AS6C62256-55SINTR Rašymo-ciklo laiko formos

Rašymo ciklas 1, WE# valdomas: Laikykite CE# žemai, pateikite galiojantį adresą ir impulsą WE# žemai. Pateikite įvesties duomenis DQ0–DQ7 prieš pakylant WE#. Tas pakylantis kraštas pabaigia rašymą.

Rašymo ciklas 2, CE# valdomas: Laikykite WE# žemai ir impulsą CE# žemai, kai adresas ir įvesties duomenys yra galiojantys. CE# pakylantis kraštas baigia rašymą. Abiejuose cikluose atsižvelkite į išėjimo išjungimo uždelsimą, prieš kol išorinis prietaisas įveda duomenis į bendrą DQ magistralę.

Parametras	Simbolis	Min.	Max.
Rašymo ciklo laikas	tWC	55 ns	—
Adresas galiojantį pabaigą rašymo	tAW	50 ns	—
Mikroschemos įjungimas iki pabaigos rašymo	tCW	50 ns	—
Adreso paruošimo laikas	tAS	0 ns	—
Rašymo impulso ilgis	tWP	45 ns	—
Rašymo atstatymo laikas	tWR	0 ns	—
Duomenų rašymo laiko persidengimas	tDW	25 ns	—
Duomenų laikymas po rašymo pabaigos	tDH	0 ns	—
Išėjimo aktyvavimas po rašymo pabaigos	tOW*	5 ns	—
Rašymas į išėjimą High-Z	tWHZ*	—	20 ns

Duomenų lapas nurodo CL = 5 pF tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW ir tWHZ. Tinkami High-Z ir Low-Z perėjimai matuojami ±500 mV nuo pastovios būsimos išėjimo lygio. Nereikia taikyti bendro 50 pF + 1 TTL apkrovos sąlygos šioms šešiems parametrams. Žvaigždutėmis pažymėti parametrai garantuojami prietaiso charakterizavimo, tačiau nėra testuojami gamyboje.

AS6C62256-55SINTR Duomenų išlaikymas

Pav. 6. Supaprastinta AS6C62256 Duomenų Išlaikymo Laiko Forma, Perpiešta iš Alliance Memory Duomenų Lapo

Prieš VCC nukrisdama žemiau normalaus 2.7 V minimalaus veikimo įtampos, pakelkite CE# aukštai. Duomenų išlaikymo metu laikykite VCC virš arba lygų 1.5 V, ir CE# ≥ VCC − 0.2 V.

Parametras	Simbolis	Testavimo sąlygos	Min.	Tip.	Max.
Duomenų išlaikymo tiekimo įtampa	VDR	CE# ≥ VCC − 0.2 V	1.5 V	—	5.5 V
Duomenų išlaikymo srovė	IDR	VCC = 2.0 V; CE# ≥ VCC − 0.2 V	—	0.5 µA	20 µA
Mikroschemos išjungimas iki duomenų išlaikymo laiko	tCDR	Prieš VCC nukrisdama žemiau veikimo ribos	0 ns	—	—
Atstatymo laikas	tR	Po to, kai VCC grįžta į veikimo ribą	tRC	—	—

Kai VCC grįžta į normalią 2.7 V iki 5.5 V veikimo ribą, palaukite bent vieno skaitymo ciklo (tRC = 55 ns) prieš prieiti prie atminties

AS6C62256-55SINTR Paketo matmenys ir CAD modeliai

28 kojelių SOP paketo kontūras

Pav. 7. AS6C62256 28 kojelių, 330 mil SOP paketo kontūras

AS6C62256-55SINTR naudoja 28 kojelių, 330 mil SOP paketą. Paketo brėžinyje įrenginys pateikiamas iš viršaus. Žemiau parodytos pasirinktos paketo matmenys. Norint gauti visus matmenis ir tolerancijas, kreipkitės į „Alliance Memory“ paketo brėžinį.

Brėžinys simbolis	Matmuo
A	3.048 mm maksimali
A1	0.05 mm minimali
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm tipinė
D	18.491 mm maksimali
E	8.636 mm maksimali
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm tipinė

Naudokite šiuos matmenis kartu su gamintojo brėžiniu, kai tikrinate PCB pėdsaką ir surinkimo tarpą.

Schemos simbolis, PCB pėdsakas ir 3D modelis

Pav. 8. AS6C62256-55SINTR schemos simbolis, 28 kojelių SOP PCB pėdsakas ir 3D paketo modelis

AS6C62256-55SINTR Programos

„Alliance Memory“ identifikuoja mažos galios ir baterijos atsarginės atminties programas kaip AS6C62256 taikymus. Žemiau pateikiami praktiniai dizaino pavyzdžiai. Tinkamumas priklauso nuo sistemos maitinimo įtampos, paralelinio sąsajos, atminties talpos ir laikymo reikalavimų.

• Pramoniniai valdikliai: Pramoninis valdiklis gali naudoti SRAM laikiniems matavimams arba darbo duomenims. Su tinkama atsargine maitinimo šaltiniu jis gali išlaikyti duomenis maitinimo pertraukimo metu.

• Įterptinės sistemos: Suteikia 32 KB darbo atminties suderinamam valdikliui.

• Nešiojami prietaisai: Laiko rodmenis ir laikinus duomenis baterijomis maitinamuose įrenginiuose.

• Duomenų registravimo įranga: Buferiai matavimams prieš apdorojimą ar perdavimą.

• Komunikacijos įranga: Laiko laikinus duomenis ar konfigūracijos vertes suderinamame dizaine.

AS6C62256-55SINTR Alternatyvos ir suderinamumo patikrinimai

„Alliance Memory“ dabartinis kryžminis nuorodų sąrašas nurodo AS6C62256-55SINTR kaip CY62256NLL-55SNXIT pakeitimą. Šiame sąraše aprašoma cypreso dalies pakeitimo situacija į Alliance dalį. Tai nepatvirtina, kad Cypress dalis veiks atvirkštine kryptimi. Įvertinkite tai kaip inžinerinį kandidatą, reikalaujantį patvirtinimo prieš naudojant jį kaip pakeitimą įdiegto AS6C62256-55SINTR.

Kandidatas	Gamintojas kryžminio nuorodų santykis	Patikrinti prieš atvirkštinį pakeitimą
CY62256NLL-55SNXIT	„Alliance“ dabartinis kryžminis nuorodų žemėlapis šį Cypress užsakymo kodą priskiria AS6C62256-55SINTR.	Palyginkite maitinimo įtampą, kojelių išdėstymą, SOP pėdsaką, 55 ns laiką, temperatūros diapazoną ir duomenų išsaugojimo ribas.

Prieš pakeisdami kitą įrenginį, palyginkite visus užsakymo kodus, kojelių sujungimus, PCB pėdsaką, maitinimo įtampą, skaitymo ir rašymo laiką, veikimo temperatūrą ir duomenų išsaugojimo reikalavimus.

Kada pasirinkti AS6C62256-55SINTR

Pasirinkite AS6C62256-55SINTR, kai jūsų dizainui reikia 32K × 8 asinchroninės SRAM su 55 ns prieiga, 2.7–5.5 V maitinimo įtampos diapazonu, −40 °C iki +85 °C pramoniniam naudojimui ir 28 kojelių, 330 mil SOP pėdsako. Tai taip pat yra kandidatas išlaikyti plokštę, kuri jau naudoja šį tikslų paketą ir kojelių išdėstymą.

Pasirinkite kitą atminties įrenginį, jei jūsų sistema reikalauja serijinės sąsajos, žymiai didesnės talpos ar kito PCB pėdsako. AS6C62256-55SINTR yra laikina: jei duomenys turi išlikti prarandant pagrindinę maitinimo šaltinį, jūsų dizainas turi išsaugoti tinkamą išlaikymo maitinimo šaltinį.

Techniniai šaltiniai

• „Alliance Memory“, AS6C62256 duomenų lapas, leidimas 1.2, 2016 m. kovo 23 d.

• „Alliance Memory“, Cypress Semiconductor CY62256 pakeitimas.

• „Alliance Memory“, Lengvai prieinami pakaitiniai sprendimai CY62256 mažos galios SRAM, 2018 m. rugpjūčio 2 d.