| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T | |
|---|---|
| Dalies numeris | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T |
| Gamintojas | SiTime |
| apibūdinimas | MEMS OSC XO 133.3300MHZ LVCMOS |
| Turimas kiekis | 25200 pcs new original in stock. Prašyti akcijų ir pasiūlymų |
| Duomenų lapai | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T.pdf |
| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T Price |
Užsisakykite kainą ir švino laiką internete or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T techninė informacija | |||
|---|---|---|---|
| Gamintojo kodas | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T | Kategorija | Kristalai, osciliatoriai, rezonatoriai |
| Gamintojas | SiTime | apibūdinimas | MEMS OSC XO 133.3300MHZ LVCMOS |
| Paketas / dėžutė | 4-SMD, No Lead | Turimas kiekis | 25200 pcs |
| Įtampa - tiekimas | 3.3V | Įveskite | XO (Standard) |
| Skleisti spektro juostos plotį | - | Dydis / Matmenys | 0.106" L x 0.094" W (2.70mm x 2.40mm) |
| Serija | SiT8209 | Reitingai | - |
| Paketas / dėžutė | 4-SMD, No Lead | Paketas | Tape & Reel (TR) |
| Išvestis | LVCMOS, LVTTL | Darbinė temperatūra | -40°C ~ 85°C |
| Montavimo tipas | Surface Mount | Aukštis - sėdi (maks.) | 0.031" (0.80mm) |
| Funkcija | Enable/Disable | Dažnio stabilumas | ±50ppm |
| Dažnumas | 133.33 MHz | Dabartinis - tiekimas (maks.) | 36mA |
| Dabartinis - tiekimas (išjungtas) (maks.) | 31mA | Bazinis rezonatorius | MEMS |
| Bazinis produkto numeris | SIT8209 | Absoliutus traukos diapazonas (APR) | - |
Rašykite mums: Info@Ariat-Tech.com arba pateikite RFQ SIT8209AI-G3-33E-133.330000T internetu.
| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T atsargos | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T kaina | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T elektronika | |||
| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T komponentai | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T atsargos | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T Digikey | |||
| Tiekėjas SIT8209AI-G3-33E-133.330000T | Užsisakyti SIT8209AI-G3-33E-133.330000T internetu | Užklausa dėl SIT8209AI-G3-33E-133.330000T | |||
| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T vaizdas | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T nuotrauka | SIT8209AI-G3-33E-133.330000T PDF | |||
| SIT8209AI-G3-33E-133.330000T duomenų lapas | Atsisiųsti SIT8209AI-G3-33E-133.330000T duomenų lapą | Gamintojas SiTime | |||
| Susijusios SIT8209AI-G3-33E-133.330000T dalys | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Vaizdas | Dalies numeris | apibūdinimas | Gamintojas | Gaukite citatą | |
 |
SIT8209AI-G3-33E-120.000000Y | MEMS OSC XO 120.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-125.000000Y | MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.300000Y | MEMS OSC XO 133.3000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333300X | MEMS OSC XO 133.3333MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.300000X | MEMS OSC XO 133.3000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333000Y | MEMS OSC XO 133.3330MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333300T | MEMS OSC XO 133.3333MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-125.000000T | MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333000X | MEMS OSC XO 133.3330MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333330X | MEMS OSC XO 133.33333MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.300000T | MEMS OSC XO 133.3000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.000000T | MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333000T | MEMS OSC XO 133.3330MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.330000Y | MEMS OSC XO 133.3300MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333300Y | MEMS OSC XO 133.3333MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.330000X | MEMS OSC XO 133.3300MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-125.000000X | MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.000000Y | MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.000000X | MEMS OSC XO 133.0000MHZ LVCMOS | SiTime | ||
|
SIT8209AI-G3-33E-133.333330T | MEMS OSC XO 133.33333MHZ LVCMOS | SiTime | ||
žinios
Daugiau
2026 m. balandžio 19 d. (vietos laiku) žiniasklaidos pranešimai, kuriuose cituojami šaltiniai, susipažinę su šiuo klausimu, atskleidė, kad „G...
Pasak *The Business Times*, TSMC bandomoji CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) gamybos linija pradėjo tiekti įrangą savo tyrimų ir plėtros komanda...
Balandžio 6 d. vietos laiku JAV dirbtinio intelekto (AI) technologijų milžinė Anthropic paskelbė, kad pasirašė naują susitarimą su Google ir ...
Balandžio 1 d. „Microsoft“ paskelbė investuosianti 5,5 mlrd. Bradas Smithas, „Microsoft“ vykdomasis viceprezidentas ir prezidentas, pareiškė, ...
„Samsung Electronics“ bus pirmasis, kuris išskirtinai tieks naujos kartos HBM4 OpenAI, didžiausiai pasaulyje dirbtinio intelekto (AI) įmonei, kur...
Nauji produktai
Daugiau
„Texas Instruments“ TPS92542-Q1 Sinchroninio stiprintuvo valdiklyje yra sinchroninis stiprinimo valdiklis ir dviejų kanalų monolitinis sinchronini...
„Toshiba TB67H453“ vieno kanalo H-tilto tvarkyklė turi srovę stebėjimo funkciją su „ISENSE“ išvesties kaiščio įtampos grįžtamuoju ryšiu...
„Stmicroelectronics STSAFE-A120“ autentifikavimas IC yra labai saugios integruotos grandinės, skirtos apsaugoti neskelbtinus duomenis ir įrenginiu...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Optimizuota autentifikavimo ICS panaudoja išplėstinius kriptografinius algoritmus ir pagrindinius valdymo metodus, kad a...
Diodai įtraukė PI3DPX1235Q 6: 4 „Crossbar Linear Redriver“ palaiko DP jungties treniruotes skaidrias šaltinio programų.„PI3DPX1235Q“ atitinka ...
El. paštas: Info@ariat-tech.comHK Tel.: +852 30501966Adresas: Rm 2703 27A Ho King komercinis centras 2-16,
Fa Yuen g., MongKok, Kovlunas, Honkongas.
Autorių teisių pranešimas © 1996-2026 „ARIAT TECHNOLOGY LIMITED“. Visos teisės saugomos.